2021年4月29日，应公司核科学与技术系张建东讲师邀请，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米真空互联实验站主任丁孙安研究员来公司进行了交流访问。于材料楼B316为公司师生做了一场题为《真空互联技术在氧化镓薄膜晶体外延与表征上的应用》的学术报告，本次“材华讲坛“由开云Kaiyun副经理陶海军副教授主持，到场师生20余人。
报告中，丁孙安研究员首先介绍了纳米技术目前面临着难以在加工制造过程中避免大气环境(氧、碳、水气)对材料表面的不利影响这的一大难题。随着纳米技术的发展，材料的表面、界面特性对器件的性能影响越来越大，更加凸显了该问题的重要性。由该问题引出并介绍了中科院苏州纳米所创建了一个基于真空互联先进技术的科学研究和技术开发平台。它不仅是一个全真空环境，可以最大限度排除大气的不利影响，而且把材料生长、器件工艺、测试分析的各种设备有机互联在一起，提供从基础研究到产业化的全链条支撑。通过该真空互联平台可以更有效的探索材料、器件的本征性质，开发新材料、新工艺、新器件，大大缩短和简化从基础研究到应用开发的过程。真空互联技术不但可以解决目前大气环境下分立设备难以解决的关键问题，而且可以在同一平台上开展多领域的合作研究，更好实现多学科的交叉融合、突破创新。接下来，丁孙安研究员介绍了通过该平台进行的不同外延技术生长高质量氧化镓晶体薄膜的相关研究，初步结果表明超高真空环境下的衬底表面处理、外延生长、结合各种原位的表征分析手段不但可以获得高质量的薄膜晶体，而且可以高效开展相关的机理研究。最后分享了一些与真空互联平台合作产出的高质量研究成果，并对相关领域科研人员进行合作或参与建设表达了欢迎。
在报告最后的互动提问环节，丁孙安研究员与在场师生积极互动，耐心细致的地解疑答惑。丁孙安研究员高质量的学术报告和耐心专业的解答使得在场的师生受益匪浅，最终讲座在热烈的掌声中圆满结束。
报告人简介:
丁孙安，研究员，博士生导师。中国科学院苏州纳米技术与纳米放生研究所纳米真空互联实验站主任。1986年和1988年分别获得清华大学电子工程系工学学士和硕士学位；1992年获得中科院半导体所物理学博士学位。1996于德国马普学会的弗里兹-哈伯研究所完成博士后工作，又先后在日本广岛大学和美国缅因大学从事科研工作。2000年后转入工业界，先后在美国朗讯科技和英特尔公司从事技术研究和产品开发工作。2014年加入中科院苏州纳米所。丁孙安博士获2014年苏州工业园区高科技领军人才称号，2015年江苏省双创人才，2016年江苏省双创团队领军人才。主要研究领域为半导体薄膜材料与器件物理、材料表征与测试、表面与界面分析与真空技术与应用。在国际一流刊物上发表了60多篇学术论文。
