报告题目：二维半导体材料的离子辐照效应
报 告 人：施坦 助理教授
报告时间：2021年5月20日上午9:30 – 11:30
报告地点：腾讯会议ID: 642 776 812
主办单位：开云Kaiyun
报告人简介：
施坦，西安交通大学核科学与技术学院助理教授，博士毕业于美国密歇根大学核工程与放射科学专业，硕士毕业于隶属于法国原子能署的法国国立核科学技术学院。主要从事半导体、金属材料的辐照损伤、中子探测器表征及应用、核安全防护等相关研究。针对上述研究方向，在Nanoscale, Applied Materials and Interfaces, Applied Physics Letters, Scientific Report，Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A等期刊共发表SCI论文13篇，在美国劳伦斯伯克利国家实验室、美国洛斯阿拉莫斯国家实验室、中国高能物理研究所等研究机构拥有丰富的科研经历。
报告摘要:
自从2004年石墨烯被分离以来，二维材料凭借其优异的机械、物理、化学和电子性能，持续受到科研界的广泛关注，在电子器件（晶体管、光电器件、热电器件等）、储能、催化等方面有着独特的优势和广泛的应用。随着晶体管特征尺寸不断接近传统CMOS技术的物理极限，二维半导体材料，尤其是过渡金属硫族化合物（Transition metal dichalcogenides, TMD）如MoS2和WSe2等，有潜力继续减小晶体管的尺寸，用作下一代半导体电子器件。了解二维材料的辐照效应，对于该类电子器件在航天、国防等高辐射环境的应用有着重要的意义，而离子辐照可以调控材料中的缺陷，是一种改良材料性能的重要手段。本研究通过原子尺度的辐照模拟以及材料和器件层面的离子辐照实验表征，对二维材料的离子辐照效应进行了机理性探索，揭示了二维材料及电子器件的辐照损伤规律和机制。
