报告题目：真空互联技术在氧化镓薄膜晶体外延与表征上的应用
报 告 人：丁孙安 研究员
报告时间：2021年4月29日15:30
报告地点：将军路校区东区材料楼D10-B316
主办单位：开云Kaiyun
报告人简介：
丁孙安，研究员、博士生导师。中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米真空互联实验站主任。1986年和1988年分别获得清华大学电子工程系工学学士和硕士学位；1992年获得中科院半导体所物理学博士学位。1996于德国马普学会的弗里兹-哈伯研究所完成博士后工作，又先后在日本广岛大学和美国缅因大学从事科研工作。2000年后转入工业界，先后在美国朗讯科技和英特尔公司从事技术研究和产品开发工作。2014年加入中科院苏州纳米所。丁孙安博士获2014年苏州工业园区高科技领军人才称号，2015年江苏省双创人才，2016年江苏省双创团队领军人才。主要研究领域为半导体薄膜材料与器件物理、材料表征与测试、表面与界面分析与真空技术与应用。在国际一流刊物上发表了60多篇学术论文。
报告摘要:
随着纳米技术的发展，材料的表面、界面特性对器件性能的影响越来越大。目前的制造技术很难解决大气环境（特别是氧、碳、水气）在工艺过程中对材料表面的不利影响。中科院苏州纳米所创建了一个基于真空互联先进技术的科学研究和技术开发平台。它不仅是一个全真空环境，可以最大限度排除大气的不利影响，而且把材料生长、器件工艺、测试分析的各种设备有机互联在一起，提供从基础研究到产业化的全链条支撑。这就可以更有效的探索材料、器件的本征性质，开发新材料、新工艺、新器件，大大缩短和简化从基础研究到应用开发的过程。真空互联技术不但可以解决目前大气环境下分立设备难以解决的关键问题，而且可以在同一平台上开展多领域的合作研究，更好实现多学科的交叉融合、突破创新。
利用真空互联这一变革性的研究技术,我们探索了不同外延技术生长高质量氧化镓晶体薄膜的可行性，并对氧化镓晶体缺陷、可控掺杂、及其表界面的本征性质进行了系统研究。初步结果表明超高真空环境下的衬底表面处理、外延生长、结合各种原位的表征分析手段不但可以获得高质量的薄膜晶体，而且可以高效开展相关的机理研究。
